BD13516STU参数规格_中文资料_数据手册PDF

BD13516STU中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 1.50 A

极性 NPN

耗散功率 1.25 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 1.25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8.3 mm

宽度 3.45 mm

高度 11.2 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BD13516STU

型号： BD13516STU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：NPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

替代型号BD13516STU