BS170G

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BS170G概述

ON SEMICONDUCTOR  BS170G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2 V

The is a N-channel Small Signal MOSFET offers 60V drain source voltage and 310mA drain current.


得捷:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Tube


Allied Electronics:
MOSFET; N-Ch; VDSS 90VDC; RDSON 1.8 Ohms; ID 0.5A; TO-92 TO-226; PD 350mW; -55degc


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 83W; TO92


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Tube


力源芯城:
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92


BS170G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 500 mA

额定功率 83 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

阈值电压 2 V

输入电容 60.0 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 90 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 500 mA

输入电容Ciss 60pF @10VVds

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350mW Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.45 mm

宽度 4.19 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2018/01/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BS170G引脚图与封装图
BS170G引脚图
BS170G封装图
BS170G封装焊盘图
在线购买BS170G
型号: BS170G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BS170G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2 V
替代型号BS170G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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