BCP5610H6327XTSA1

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BCP5610H6327XTSA1概述

SOT-223 NPN 80V 1A

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 1A 100MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4


得捷:
TRANS NPN 80V 1A SOT223-4


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 100V 1A 4-Pin SOT-223 T/R


BCP5610H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCP5610H6327XTSA1
型号: BCP5610H6327XTSA1
描述:SOT-223 NPN 80V 1A

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