BD139-10

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BD139-10概述

STMICROELECTRONICS  BD139-10  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFE

通用 NPN ,STMicroelectronics

### 双极晶体管,STMicroelectronics

STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP ,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。


得捷:
TRANS NPN 80V 1.5A SOT32


欧时:
STMicroelectronics BD139-10 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=80 V, HFE:63, 3引脚 SOT-32封装


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Silicon Trnsistr


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin SOT-32 Tube


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  BD139-10  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40


儒卓力:
**NPN TRANSISTOR 80V 1,5A SOT32 **


DeviceMart:
TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32


BD139-10中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1.25 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

额定功率Max 1.25 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.8 mm

宽度 2.7 mm

高度 10.8 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 音频, 工业, Industrial, Audio, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BD139-10引脚图与封装图
BD139-10引脚图
BD139-10封装图
BD139-10封装焊盘图
在线购买BD139-10
型号: BD139-10
描述:STMICROELECTRONICS  BD139-10  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFE
替代型号BD139-10
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