STMICROELECTRONICS BD139-10 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFE
通用 NPN ,STMicroelectronics
### 双极晶体管,STMicroelectronics
STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP ,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
得捷:
TRANS NPN 80V 1.5A SOT32
欧时:
STMicroelectronics BD139-10 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=80 V, HFE:63, 3引脚 SOT-32封装
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Silicon Trnsistr
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube
安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin SOT-32 Tube
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube
TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS BD139-10 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40
儒卓力:
**NPN TRANSISTOR 80V 1,5A SOT32 **
DeviceMart:
TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.25 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
额定功率Max 1.25 W
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1250 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 7.8 mm
宽度 2.7 mm
高度 10.8 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 音频, 工业, Industrial, Audio, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BD139-10 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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