BC182G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC182G概述

放大器晶体管放大器晶体管 Amplifier Transistors Amplifier Transistors

Amplifier Transistors

NPN Silicon

Features

• These are Pb−Free Devices

得捷:
TRANS NPN 50V 0.1A TO92

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin TO-92 Box

BC182G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 5V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： BC182G

描述：放大器晶体管放大器晶体管 Amplifier Transistors Amplifier Transistors

替代型号BC182G