BCV28H6327XTSA1概述
Infineon BCV28H6327XTSA1 PNP 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=30 V, HFE=4000, 3引脚 SOT-89封装
复合，
得捷:
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT89
立创商城:
PNP 30V 500mA
欧时:
Infineon BCV28H6327XTSA1 PNP 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=30 V, HFE=4000, 3引脚 SOT-89封装
艾睿:
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 1000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
安富利:
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Win Source:
TRANSISTOR AF SOT89-4
BCV28H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 20000 @100mA, 5V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买BCV28H6327XTSA1
型号： BCV28H6327XTSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon BCV28H6327XTSA1 PNP 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=30 V, HFE=4000, 3引脚 SOT-89封装