BGT24MTR12E6327XUSA1

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BGT24MTR12E6327XUSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1050 mW

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1050 mW

封装参数

引脚数 32

封装 QFN

外形尺寸

封装 QFN

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BGT24MTR12E6327XUSA1
型号: BGT24MTR12E6327XUSA1
制造商: Infineon 英飞凌
描述:RF Transceiver 3.3V 32Pin VQFN EP

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