ON SEMICONDUCTOR BC639RL1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE
通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS NPN 80V 1A TO92
欧时:
ON Semiconductor BC639RL1G , NPN 双极晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:40, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装
e络盟:
ON SEMICONDUCTOR BC639RL1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 T/R
Allied Electronics:
BC639RL1G, SS T092 HC XSTR NPN 80V
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 T/R
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 T/R
频率 200 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 800 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BC639RL1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC639G 安森美 | 完全替代 | BC639RL1G和BC639G的区别 |
BC639-16ZL1G 安森美 | 类似代替 | BC639RL1G和BC639-16ZL1G的区别 |
BC639ZL1G 安森美 | 类似代替 | BC639RL1G和BC639ZL1G的区别 |