ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
高电压,
### 标准
带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PNP 300V 0.05A SOT223
立创商城:
PNP 300V 50mA
欧时:
### 高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
艾睿:
The three terminals of this PNP BF721T1G GP BJT from ON Semiconductor give it the ability to be used as either an electronic switch or amplifier. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1500 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 300 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 300V 0.05A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 0.05A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR BF721T1G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, -300 V, 60 MHz, 1.5 W, -50 mA, 60 hFE
DeviceMart:
TRANS SS PNP 300V 50MA SOT-223
Win Source:
TRANS PNP 300V 0.05A SOT-223
频率 60 MHz
额定电压DC -300 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V
额定功率Max 1.5 W
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.75 mm
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BF721T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BF721T1 安森美 | 类似代替 | BF721T1G和BF721T1的区别 |
BF721 西门子 | 功能相似 | BF721T1G和BF721的区别 |