BG3130H6327XTSA1

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BG3130H6327XTSA1概述

Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BG3130H6327XTSA1, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363 SC-88封装

双栅极 MOSFET 四极管

Infineon 双栅极低噪声四极管 MOSFET 射频


得捷:
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363


欧时:
Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BG3130H6327XTSA1, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363 SC-88封装


贸泽:
RF MOSFET Transistors RF MOSFETS


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 8V 0.025A 6-Pin SOT-363 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363


BG3130H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 800 MHz

额定电流 25 mA

耗散功率 200 mW

增益 24 dB

测试电流 14 mA

输入电容Ciss 1.9pF @5VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Set Top Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BG3130H6327XTSA1
型号: BG3130H6327XTSA1
描述:Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BG3130H6327XTSA1, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363 SC-88封装
替代型号BG3130H6327XTSA1
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