通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 250~600 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 700mV/0.7V 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 通用 NPN硅 特点 •无铅包可用
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BC817-40LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC817-40LT1G 安森美 | 完全替代 | BC817-40LT1和BC817-40LT1G的区别 |
BC817-40LT3G 安森美 | 完全替代 | BC817-40LT1和BC817-40LT3G的区别 |
SBC817-40LT1G 安森美 | 完全替代 | BC817-40LT1和SBC817-40LT1G的区别 |