BC817-40LT1

BC817-40LT1图片1
BC817-40LT1图片2
BC817-40LT1图片3
BC817-40LT1图片4
BC817-40LT1图片5
BC817-40LT1图片6
BC817-40LT1图片7
BC817-40LT1图片8
BC817-40LT1图片9
BC817-40LT1图片10
BC817-40LT1概述

通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 250~600 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 700mV/0.7V 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 通用 NPN硅 特点 •无铅包可用

BC817-40LT1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC817-40LT1
型号: BC817-40LT1
描述:通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon
替代型号BC817-40LT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC817-40LT1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BC817-40LT1G

安森美

完全替代

BC817-40LT1和BC817-40LT1G的区别

BC817-40LT3G

安森美

完全替代

BC817-40LT1和BC817-40LT3G的区别

SBC817-40LT1G

安森美

完全替代

BC817-40LT1和SBC817-40LT1G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台