BCM847BV,315参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCM847BV,315概述

SOT-666 NPN 45V 0.1A

Bipolar BJT Transistor

得捷:
NEXPERIA BCM847BV - SMALL SIGNAL

艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

BCM847BV,315中文资料参数规格

技术参数

频率 250 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666

外形尺寸

封装 SOT-666

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCM847BV,315

型号： BCM847BV,315

制造商： NXP 恩智浦

描述：SOT-666 NPN 45V 0.1A

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替代型号BCM847BV,315

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BCM847BV,315 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
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