BCM856DS,115

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BCM856DS,115中文资料参数规格
技术参数

频率 175 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.38 W

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 380 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-457

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCM856DS,115
型号: BCM856DS,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:BCM856DS 系列 65 V 100 mA PNP/PNP 匹配对 晶体管 - SOT-457

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