BFR193L3E6327XTMA1

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BFR193L3E6327XTMA1概述

射频RF双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS

Summary of Features:

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For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz
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For linear broadband amplifiers
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fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz
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Pb-free RoHS compliant package

得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1


艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin TSLP T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin TSLP T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin TSLP T/R


BFR193L3E6327XTMA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 12.0 V

额定电流 65.0 mA

耗散功率 0.58 W

输入电容 2.25 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 12.5dB ~ 19dB

最小电流放大倍数hFE 70 @30mA, 8V

额定功率Max 580 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 580 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PG-TSLP-3

外形尺寸

封装 PG-TSLP-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Wireless Communications, For various applications like cellular and cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems., LNA in RF Front-end

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BFR193L3E6327XTMA1
型号: BFR193L3E6327XTMA1
描述:射频RF双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS

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