BS108ZL1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BS108ZL1G概述

小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

通孔 N 通道 250mA（Ta） 350mW（Ta） TO-92-3

得捷:
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

贸泽:
MOSFET 200V 250mA Logic Level N-Channel

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Fan-Fold

安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Ammo

力源芯城:
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

BS108ZL1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 250 mA

漏源极电阻 8.00 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 250 mA

输入电容Ciss 150pF @25VVds

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350mW Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BS108ZL1G

型号： BS108ZL1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

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替代型号BS108ZL1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BS108ZL1G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
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