INFINEON BFR182E6327HTSA1 射频晶体管, NPN, 12V, SOT-23
射频双极，
欧时:
Infineon BFR182E6327HTSA1 NPN 晶体管, 35 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-23封装
得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, 100 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.035A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# INFINEON BFR182E6327HTSA1 RF BIP TRANSISTORS New
频率 8000 MHz
额定电压DC 12.0 V
额定电流 35.0 mA
针脚数 3
耗散功率 250 mW
输入电容 0.8 pF
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 12dB ~ 18dB
最小电流放大倍数hFE 70 @10mA, 8V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For amplifier and oscillator applications in RF Front-en, 车用, Wireless Communications, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99