BD13916STU

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BD13916STU概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD13916STU  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 100 hFE

The is a 80V NPN Epitaxial Silicon Transistor for medium power linear and switching applications. It is complement to BD140 transistor. This product is general usage and suitable for many different applications.

.
80V Collector to base voltage VCBO
.
5V Emitter to base voltage VEBO

欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD13916STU.  双极性晶体管, NPN, 80V


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


富昌:
NPN 1.25 W 80 V 1.5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD13916STU  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 100 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 1.5A 80V TO126


Win Source:
TRANS NPN 80V 1.5A TO126


BD13916STU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.50 A

额定功率 12.5 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1.25 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 1.25 W

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BD13916STU
型号: BD13916STU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD13916STU  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 100 hFE
替代型号BD13916STU
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