FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD13916STU 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 100 hFE
The is a 80V NPN Epitaxial Silicon Transistor for medium power linear and switching applications. It is complement to BD140 transistor. This product is general usage and suitable for many different applications.
欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD13916STU. 双极性晶体管, NPN, 80V
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
富昌:
NPN 1.25 W 80 V 1.5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD13916STU Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 100 hFE
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 1.5A 80V TO126
Win Source:
TRANS NPN 80V 1.5A TO126
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.50 A
额定功率 12.5 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.25 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 1.25 W
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BD13916STU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BD13916S 飞兆/仙童 | 完全替代 | BD13916STU和BD13916S的区别 |
BD139 意法半导体 | 功能相似 | BD13916STU和BD139的区别 |