ON SEMICONDUCTOR BSP52T3G 达林顿晶体管, NPN, 80V, SOT-223
NPN 复合，On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
无卤素状态 Halogen Free
输出电压 80 V
输出电流 1 A
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 800 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
热阻 156℃/W RθJA
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V
额定功率Max 800 mW
直流电流增益hFE 2000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 125 W
输入电压 5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.75 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSP52T3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BSP52T1G 安森美 | 完全替代 | BSP52T3G和BSP52T1G的区别 |
BSP52T1 安森美 | 完全替代 | BSP52T3G和BSP52T1的区别 |
BSP52T3 安森美 | 完全替代 | BSP52T3G和BSP52T3的区别 |