BF517E6327HTSA1概述
Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 3Pin SOT-23 T/R
Use this RF amplifier from Technologies in your circuit so that it is operating at high RF frequencies. This product"s minimum DC current gain is 40@2mA@1 V|20@25mA@1V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.4@1mA@10mA V. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.
BF517E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.28 W
输入电容 0.9 pF
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 40 @2mA, 1V
额定功率Max 280 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 280 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买BF517E6327HTSA1