BC517ZL1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC517ZL1G概述

达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon

- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 200MHz 通孔 TO-92-3

得捷:
TRANS NPN DARL 30V 1A TO92

贸泽:
Darlington Transistors 1A 30V NPN

艾睿:
Trans Darlington NPN 30V 1A 1500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 30V 1A 3-Pin TO-92 Ammo

Verical:
Trans Darlington NPN 30V 1A 1500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

罗切斯特:
Trans Darlington NPN 30V 1A 3-Pin TO-92 Ammo

BC517ZL1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 30000 @20mA, 2V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

制造应用 ESD Protection, Polarity Reversal Protection, Steering Logic, Inductive Load Protection, Data Line Protection

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC517ZL1G

型号： BC517ZL1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon

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替代型号BC517ZL1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BC517ZL1G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BC517G 安森美	完全替代	BC517ZL1G和BC517G的区别
BC517ZL1 安森美	完全替代	BC517ZL1G和BC517ZL1的区别
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