BZD27C5V1P-E3-08概述
800mW，BZD27C 系列，Vishay Semiconductor
The BZD27C5V1P is a silicon planar power Zener Diode features low leakage current, excellent stability, wave and reflow solderable.
- .
- Low profile surface-mount package
- .
- Zener and surge current specification
- .
- Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260°C
- .
- Meets JESD 201 class 2 whisker test
- .
- ESD capability according to AEC-Q101 human body model >8kV, machine model >800V
- .
- AEC-Q101 qualified
BZD27C5V1P-E3-08中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 5.10 V
针脚数 2
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 800 mW
测试电流 100 mA
稳压值 5.1 V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-219AB-2
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.9 mm
高度 1.08 mm
封装 DO-219AB-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BZD27C5V1P-E3-08
替代型号BZD27C5V1P-E3-08
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BZD27C5V1P-E3-08 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
BZT52H-C5V1,115 恩智浦 | 功能相似 | BZD27C5V1P-E3-08和BZT52H-C5V1,115的区别 |