FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD13710STU 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 63 hFE
The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor suitable for medium power linear and switching applications. The bipolar transistor complement to BD138 PNP transistor.
得捷:
TRANS NPN 60V 1.5A TO-126
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
富昌:
BD135 系列 60 V 1.5 A 通孔 NPN 外延硅 晶体管 - TO-126
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD13710STU Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 63 hFE
Win Source:
TRANS NPN 60V 1.5A TO-126
额定电压DC 60.0 V
额定电流 1.50 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 12.5 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 160
额定功率Max 1.25 W
直流电流增益hFE 63
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.25 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BD13710STU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BD13710S 飞兆/仙童 | 类似代替 | BD13710STU和BD13710S的区别 |
BD137G 安森美 | 功能相似 | BD13710STU和BD137G的区别 |
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