Infineon BFN38H6327XTSA1 , NPN 晶体管, Vce=300 V, HFE:25, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
高电压，
得捷:
TRANS NPN 300V 0.2A SOT223-4
欧时:
Infineon BFN38H6327XTSA1 , NPN 晶体管, Vce=300 V, HFE:25, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
艾睿:
Jump-start your electronic circuit design with this versatile BFN38H6327XTSA1 GP BJT from Infineon Technologies.
安富利:
Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 4-Pin SOT-223 T/R
Win Source:
TRANS NPN 300V 0.2A SOT223-4 / Bipolar BJT Transistor NPN 300 V 200 mA 70MHz 1.5 W Surface Mount PG-SOT223-4
极性 NPN
耗散功率 1500 mW
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 30 @30mA, 10V
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free