ON SEMICONDUCTOR BC546BZL1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 150 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFE
- 双极 BJT - 单 NPN 65 V 100 mA 300MHz 625 mW 通孔 TO-92(TO-226)
得捷:
TRANS NPN 65V 0.1A TO92
e络盟:
ON SEMICONDUCTOR BC546BZL1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 150 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFE
艾睿:
Thanks to ON Semiconductor, your circuit can handle high levels of voltage using the NPN BC546BZL1G general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 625 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 65 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
Allied Electronics:
Transistor NPN Si Plastic, BC546BZL1G
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo
TME:
Transistor: NPN; bipolar; 65V; 100mA; 625mW; TO92
Verical:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo
频率 300 MHz
额定电压DC 65.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 290
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
制造应用 工业, Power Management, Industrial, 信号处理, 电源管理, Portable Devices, 消费电子产品, Consumer Electronics, 便携式器材, Signal Processing
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BC546BZL1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
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