BC546BZL1G

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BC546BZL1G概述

ON SEMICONDUCTOR  BC546BZL1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 150 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFE

- 双极 BJT - 单 NPN 65 V 100 mA 300MHz 625 mW 通孔 TO-92(TO-226)


得捷:
TRANS NPN 65V 0.1A TO92


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  BC546BZL1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 150 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFE


艾睿:
Thanks to ON Semiconductor, your circuit can handle high levels of voltage using the NPN BC546BZL1G general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 625 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 65 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
Transistor NPN Si Plastic, BC546BZL1G


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 65V; 100mA; 625mW; TO92


Verical:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo


BC546BZL1G中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 65.0 V

额定电流 100 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 290

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

制造应用 工业, Power Management, Industrial, 信号处理, 电源管理, Portable Devices, 消费电子产品, Consumer Electronics, 便携式器材, Signal Processing

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC546BZL1G
型号: BC546BZL1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC546BZL1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 150 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFE
替代型号BC546BZL1G
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