INFINEON BSR202NL6327HTSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 20 V, 0.017 ohm, 4.5 V, 950 mV
OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
Infineon- .
- * OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。
得捷:
MOSFET N-CH 20V 3.8A SC59
立创商城:
N沟道 20V 3.8A
欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR202NL6327HTSA1, 3.8 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-346 SC-59封装
贸泽:
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 20 V, 0.017 ohm, 4.5 V, 950 mV
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A 3-Pin SC-59 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
Newark:
# INFINEON BSR202NL6327HTSA1 MOSFET Transistor, N Channel, 3.8 A, 20 V, 0.017 ohm, 4.5 V, 950 mV
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 3.8A SC59 / N-Channel 20 V 3.8A Ta 500mW Ta Surface Mount PG-SC59-3
额定功率 0.5 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.017 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 950 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 3.8A
上升时间 16.7 ns
输入电容Ciss 863pF @10VVds
下降时间 3.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, Communications & Networking, 电源管理, Onboard charger, Power Management, 通信与网络, Automotive, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, 消费电子产品, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17