INFINEON BFR182WH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, 70 hFE
射频双极,
得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
欧时:
Infineon BFR182WH6327XTSA1 , NPN 晶体管, 35 mA, Vce=12 V, HFE:70, 3引脚 SOT-23封装
贸泽:
射频RF双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, 70 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.035A 3-Pin SOT-323 T/R
TME:
Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 250mW; SOT323
Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Newark:
# INFINEON BFR182WH6327XTSA1 Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, 70
Win Source:
TRANS RF NPN 12V 35MA SOT323
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 250 mW
输入电容 0.8 pF
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 19 dB
最小电流放大倍数hFE 70 @10mA, 8V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-323-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Wireless, 工业, Industrial, Wireless Communications, For amplifier and oscillator applications in RF Front-end, 无线, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99