PNP 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
Thanks to , your circuit can handle high levels of voltage using the PNP general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 625 mW. This product comes packaged in bulk, so the parts will be stored loosely. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
频率 320 MHz
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BC557BG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC557BZL1 安森美 | 完全替代 | BC557BG和BC557BZL1的区别 |
BC557BRL1G 安森美 | 类似代替 | BC557BG和BC557BRL1G的区别 |
BC557BZL1G 安森美 | 类似代替 | BC557BG和BC557BZL1G的区别 |