BSL316CH6327XTSA1

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BSL316CH6327XTSA1概述

INFINEON  BSL316CH6327XTSA1  双路场效应管, MOSFET, N和P, 1.4 A, 30 V, 0.119 ohm, 10 V, 1.6 V 新

OptiMOS™ 双电源 MOSFET


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP


欧时:
Infineon OptiMOS 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET BSL316CH6327XTSA1, 1.4 A,1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 PG-TDSOP封装


立创商城:
1个N沟道和1个P沟道 30V 1.4A 1.5A


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 1.4 A, 0.119 ohm, TSOP, 表面安装


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this BSL316CH6327XTSA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This device utilizes optimos technology. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V/30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R


Newark:
# INFINEON  BSL316CH6327XTSA1  MOSFET, AEC-Q101, COMPLEMENT N&P, TSOP-6 New


Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP


BSL316CH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.5 W

针脚数 6

漏源极电阻 0.119 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.4A/1.5A

输入电容Ciss 282pF @15VVds

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6-6

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-6-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSL316CH6327XTSA1
型号: BSL316CH6327XTSA1
描述:INFINEON  BSL316CH6327XTSA1  双路场效应管, MOSFET, N和P, 1.4 A, 30 V, 0.119 ohm, 10 V, 1.6 V 新
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