BCV65,215

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BCV65,215概述

SOT-143B NPN+PNP 30V 0.1A

Bipolar BJT Transistor


得捷:
NEXPERIA BCV65 - SMALL SIGNAL BI


艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 0.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 0.1A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 0.1A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R


BCV65,215中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 75 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 75 @2mA, 5V

额定功率Max 250 mW

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-253-4

外形尺寸

封装 TO-253-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCV65,215
型号: BCV65,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:SOT-143B NPN+PNP 30V 0.1A
替代型号BCV65,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

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BCV65,215和BCV65的区别

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