BZD27C5V6P-GS08

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BZD27C5V6P-GS08概述

VISHAY  BZD27C5V6P-GS08  单管二极管 齐纳, 5.6 V, 800 mW, DO-219AB, 2 引脚, 150 °C

The is a silicon planar power Zener Diode features low leakage current, excellent stability, wave and reflow solderable.

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Low profile surface-mount package
.
Zener and surge current specification
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Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260°C
.
Meets JESD 201 class 2 whisker test
.
ESD capability according to AEC-Q101 human body model >8kV, machine model >800V
.
AEC-Q101 qualified
BZD27C5V6P-GS08中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 6.60 V

针脚数 2

耗散功率 800 mW

测试电流 100 mA

稳压值 5.6 V

正向电压Max 1.2V @200mA

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-219AB

外形尺寸

封装 DO-219AB

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BZD27C5V6P-GS08
型号: BZD27C5V6P-GS08
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:VISHAY  BZD27C5V6P-GS08  单管二极管 齐纳, 5.6 V, 800 mW, DO-219AB, 2 引脚, 150 °C
替代型号BZD27C5V6P-GS08
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BZD27C5V6P-GS08

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

BZD27C5V6P-M-08

威世

完全替代

BZD27C5V6P-GS08和BZD27C5V6P-M-08的区别

BZD27C5V6P-M-18

威世

完全替代

BZD27C5V6P-GS08和BZD27C5V6P-M-18的区别

BZT52H-C5V6,115

恩智浦

功能相似

BZD27C5V6P-GS08和BZT52H-C5V6,115的区别

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