Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR802NL6327HTSA1, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-346 SC-59封装
OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
Infineon- .
- * OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。
欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR802NL6327HTSA1, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-346 SC-59封装
得捷:
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
贸泽:
MOSFET N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 20 V, 0.017 ohm, 2.5 V, 550 mV
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
Newark:
# INFINEON BSR802NL6327HTSA1 MOSFET Transistor, N Channel, 3.7 A, 20 V, 0.017 ohm, 2.5 V, 550 mV
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59 / N-Channel 20 V 3.7A Ta 500mW Ta Surface Mount PG-SC59-3
额定功率 0.5 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.017 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 550 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 3.7A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 1013pF @10VVds
下降时间 4.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.1 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Communications & Networking, Onboard charger, 电机驱动与控制, 车用, 通信与网络, Automotive, Consumer Electronics, 电源管理, Motor Drive & Control, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
