ON SEMICONDUCTOR BS107ARL1G 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 250mA TO-92
Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts
N−Channel TO−92
250 mAMPS, 200 VOLTS
RDSon= 6.4
Features
•AEC Qualified
•PPAP Capable
•This is a Pb−Free Device- .
得捷:
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
e络盟:
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 250mA TO-92
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
Allied Electronics:
MOSFET; N-Ch; VDSS 200VDC; RDSON 14 Ohms; ID 250mA; TO-92 TO-226; PD 350mW; -55degc
力源芯城:
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
额定电压DC 200 V
额定电流 250 mA
针脚数 3
漏源极电阻 4.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 3 V
输入电容 60pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 250 mA
输入电容Ciss 60pF @25VVds
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 4.45 mm
高度 4.32 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BS107ARL1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BS108ZL1G 安森美 | 类似代替 | BS107ARL1G和BS108ZL1G的区别 |
BS107ARL1 安森美 | 类似代替 | BS107ARL1G和BS107ARL1的区别 |
BS107AG 安森美 | 类似代替 | BS107ARL1G和BS107AG的区别 |