BYG10M-E3/TR

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BYG10M-E3/TR概述

1.5A,Vishay Semiconductor采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。薄型,高度为 1mm 雪崩整流器 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor

The is a standard Avalanche Sinterglass Diode suitable for use in surface mounting and general purpose rectifier applications.

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Glass-passivated junction
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High surge current capability
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Wave and reflow solderable
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Low reverse current
BYG10M-E3/TR中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.15V @1.5A

反向恢复时间 4 µs

正向电流 1.5 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 30 A

正向电压Max 1.15 V

正向电流Max 1.5 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AC

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.79 mm

高度 2.09 mm

封装 DO-214AC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BYG10M-E3/TR
型号: BYG10M-E3/TR
描述:1.5A,Vishay Semiconductor 采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。 薄型,高度为 1mm 雪崩整流器 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor
替代型号BYG10M-E3/TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Vishay Semiconductor 威世

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