FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD14010STU 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 12.5 W, -1.5 A, 63 hFE
The is a PNP Epitaxial Silicon Transistor suitable for medium power linear and switching applications. The bipolar transistor complement to BD139 NPN transistor.
欧时:
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Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
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BD140 系列 80 V 1.5 A 通孔 PNP 外延硅晶体管 - TO-126
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Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD14010STU Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -80 V, 12.5 W, -1.5 A, 63 hFE
DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 80V 1.5A TO-126
Win Source:
TRANS PNP 80V 1.5A TO-126
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -1.50 A
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 12.5 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
额定功率Max 1.25 W
直流电流增益hFE 63
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BD14010STU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BD14010S 飞兆/仙童 | 完全替代 | BD14010STU和BD14010S的区别 |
BD140 意法半导体 | 功能相似 | BD14010STU和BD140的区别 |
BD140G 安森美 | 功能相似 | BD14010STU和BD140G的区别 |