BD1396STU

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BD1396STU概述

NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor suitable for medium power linear and switching applications. The bipolar transistor complement to BD138 PNP transistor.

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-55 to 150°C Operating temperature range

得捷:
TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


富昌:
BD139 系列 80 V CE 击穿 1.5 A NPN 外延硅 晶体管 - TO-126


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD1396STU  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 12.5 W, 1.5 A, 40 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 80V 1.5A TO-126


Win Source:
TRANS NPN 80V 1.5A TO-126


BD1396STU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.50 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 12.5 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 1.25 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8.3 mm

宽度 3.45 mm

高度 11.2 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BD1396STU
型号: BD1396STU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号BD1396STU
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BD1396STU

Fairchild 飞兆/仙童

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BD139G

安森美

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BD1396STU和BD139G的区别

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