Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
The is a PNP Epitaxial Silicon Transistor suitable for medium power linear and switching applications. The bipolar transistor complement to BD137 NPN transistor.
欧时:
### Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Sil
艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
TME:
Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 1.25W; TO126
Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD13816STU Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -60 V, 12.5 W, -1.5 A, 100 hFE
DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 60V 1.5A TO-126
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -1.50 A
额定功率 1.25 W
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 12.5 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 1.25 W
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 12.5 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BD13816STU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N4919G 安森美 | 功能相似 | BD13816STU和2N4919G的区别 |
NTE186A NTE Electronics | 功能相似 | BD13816STU和NTE186A的区别 |
NTE2353 NTE Electronics | 功能相似 | BD13816STU和NTE2353的区别 |