集成电路
Bipolar BJT Transistor PNP 45V 1.5A 1.25W Through Hole TO-126-3
得捷:
TRANS PNP 45V 1.5A TO126-3
艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
Win Source:
TRANS PNP 45V 1.5A TO-126
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -1.50 A
极性 PNP
耗散功率 1.25 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 1.25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BD13610S Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BD136G 安森美 | 功能相似 | BD13610S和BD136G的区别 |
BD136-16 意法半导体 | 功能相似 | BD13610S和BD136-16的区别 |
BD136 意法半导体 | 功能相似 | BD13610S和BD136的区别 |