BD13716S

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BD13716S中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 1.50 A

极性 NPN

耗散功率 1.25 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 160

额定功率Max 1.25 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

高度 11.2 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BD13716S
型号: BD13716S
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
替代型号BD13716S
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BD13716S

Fairchild 飞兆/仙童

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