FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD13916S 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 100 hFE
The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor suitable for medium power linear and switching applications. The bipolar transistor complement to BD138 PNP transistor.
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Sil
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
Jameco:
3 Lead Plastic Thru-Hole Pkg Lead 16.10
安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
富昌:
NPN 1.25 W 80 V 1.5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD13916S Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 100 hFE
Win Source:
TRANS NPN 80V 1.5A TO126
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.50 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.25 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 1.25 W
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BD13916S Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BD13916STU 飞兆/仙童 | 完全替代 | BD13916S和BD13916STU的区别 |
BD139 意法半导体 | 功能相似 | BD13916S和BD139的区别 |
BD139G 安森美 | 功能相似 | BD13916S和BD139G的区别 |