NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR
Description
The device is manufactured in Planar technology with “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
Features
■ NPN transistor
Applications
■ General purpose switching
得捷:
TRANS NPN 80V 3A SOT32
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Gen Purpose Sw
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 30000mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube
耗散功率 30 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 40
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 30 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 30000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 7.8 mm
宽度 2.7 mm
高度 10.8 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BD179 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |