BCX6816H6327XTSA1

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BCX6816H6327XTSA1概述

SOT-89 NPN 20V 1A

- 双极 BJT - 单 NPN 20 V 1 A 100MHz 3 W 表面贴装型 PG-SOT89


得捷:
TRANS NPN 20V 1A SOT89


艾睿:
If your circuit&s;s specifications require a device that can handle high levels of voltage, Infineon Technologies&s; NPN BCX6816H6327XTSA1 general purpose bipolar junction transistor is for you. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 20 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 20V 1A AEC Q101 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 20V; 1A; 3W; SOT89


Verical:
Trans GP BJT NPN 20V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Win Source:
TRANSISTOR AF SOT89-4


BCX6816H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN

耗散功率 3 W

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 1V

额定功率Max 3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCX6816H6327XTSA1
型号: BCX6816H6327XTSA1
描述:SOT-89 NPN 20V 1A

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