BFP193WH6327XTSA1

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BFP193WH6327XTSA1概述

INFINEON  BFP193WH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE

射频双极,


欧时:
Infineon BFP193WH6327XTSA1 , NPN 晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 4引脚 SOT-343封装


得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE


艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R


Newark:
# INFINEON  BFP193WH6327XTSA1  Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70


Win Source:
TRANS RF NPN 12V 80MA SOT343


BFP193WH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 8000 MHz

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 580 mW

输入电容 2.25 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 13.5dB ~ 20.5dB

最小电流放大倍数hFE 70 @30mA, 8V

额定功率Max 580 mW

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 580 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343-4

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SOT-343-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Wireless Communications, For various applications like cellular and cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems., LNA in RF Front-end

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: BFP193WH6327XTSA1
描述:INFINEON  BFP193WH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE

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