Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
**Applications**
• Complement to BD 175/177/179 respectively
艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Win Source:
TRANS PNP 45V 3A TO-126
频率 3 MHz
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -3.00 A
极性 PNP
耗散功率 30 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
额定功率Max 30 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 30000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BD17610STU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BD17610 飞兆/仙童 | 功能相似 | BD17610STU和BD17610的区别 |
BD176-10 Continental Device | 功能相似 | BD17610STU和BD176-10的区别 |