BYG21M-E3/TR3参数规格_中文资料_数据手册PDF

BYG21M-E3/TR3概述

1.4A 至 20A，Vishay Semiconductor采用工业标准封装类型的多用途、高效快速恢复功率二极管。### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor

Diode Avalanche 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AC SMA

得捷:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

贸泽:
整流器 1.5 Amp 1000 Volt

艾睿:
Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R

富昌:
BYG21K Series 1000 V 1.5 A 120 ns Fast Avalanche SMT Rectifier - DO-214AC

Verical:
Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R

BYG21M-E3/TR3中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.6V @1.5A

反向恢复时间 120 ns

最大正向浪涌电流（Ifsm） 30 A

正向电压Max 1.6V @1.5A

正向电流Max 1.5 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AC

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.79 mm

高度 2.09 mm

封装 DO-214AC

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BYG21M-E3/TR3

型号： BYG21M-E3/TR3

描述：1.4A 至 20A，Vishay Semiconductor 采用工业标准封装类型的多用途、高效快速恢复功率二极管。 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor

替代型号BYG21M-E3/TR3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BYG21M-E3/TR3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
BYG21MHE3/TR3 威世	完全替代	BYG21M-E3/TR3和BYG21MHE3/TR3的区别
BYG21M-E3/TR 威世	类似代替	BYG21M-E3/TR3和BYG21M-E3/TR的区别
BYG21MHE3/TR 威世	类似代替	BYG21M-E3/TR3和BYG21MHE3/TR的区别