BD175 Series 45V 3A Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-126-3
Bipolar BJT Transistor NPN 45 V 3 A 3MHz 30 W Through Hole TO-126-3
得捷:
TRANS NPN 45V 3A TO126-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
安富利:
Trans GP BJT NPN 45V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
富昌:
BD175 系列 45 V 3 A 通孔 NPN 外延 硅 晶体管 - TO-126-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Win Source:
TRANS NPN 45V 3A TO-126
频率 3 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 3.00 A
极性 NPN
耗散功率 30 W
增益频宽积 3 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 30 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 30000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99