BD1406S参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BD1406S中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 12.5 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 1.25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BD1406S

型号： BD1406S

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial

替代型号BD1406S

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

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Fairchild 飞兆/仙童

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当前型号

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