BC307BRL1G

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BC307BRL1G概述

放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

- 双极 BJT - 单 PNP 280MHz 通孔 TO-92(TO-226)


得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A TO92


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin TO-92 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin TO-92 T/R


罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R


BC307BRL1G中文资料参数规格
技术参数

频率 280 MHz

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 350 mW

增益频宽积 280 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC307BRL1G
型号: BC307BRL1G
描述:放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon
替代型号BC307BRL1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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