BC558BRLG参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC558BRLG概述

放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

- 双极 BJT - 单 PNP 30 V 100 mA 360MHz 625 mW 通孔 TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 30V 0.1A TO92

艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R

罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R

BC558BRLG中文资料参数规格

技术参数

频率 360 MHz

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 0.625 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： BC558BRLG

描述：放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

替代型号BC558BRLG