BC639G

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BC639G概述

ON SEMICONDUCTOR  BC639G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE

通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 80V 1A TO92


欧时:
ON Semiconductor BC639G , NPN 双极晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:25, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  BC639G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Box


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Box


TME:
Transistor: NPN; 100V; 1A; 800mW; TO92


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Box


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Bulk


BC639G中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

额定功率 800 mW

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 800 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

制造应用 Industrial, 消费电子产品, 工业, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

BC639G引脚图与封装图
BC639G引脚图
BC639G封装图
BC639G封装焊盘图
在线购买BC639G
型号: BC639G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC639G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE
替代型号BC639G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC639G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BC639RL1G

安森美

完全替代

BC639G和BC639RL1G的区别

BC639-16ZL1G

安森美

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BC639G和BC639-16ZL1G的区别

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