BD239BTU

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BD239BTU概述

NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 2A 30W Through Hole TO-220-3


得捷:
TRANS NPN 80V 2A TO220-3


欧时:
### 功率 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


艾睿:
Trans GP BJT NPN 90V 2A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail


安富利:
Trans GP BJT NPN 90V 2A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 90V 2A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail


Verical:
Trans GP BJT NPN 90V 2A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD239BTU  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 30 W, 2 A, 40 hFE


Win Source:
TRANS NPN 80V 2A TO220-3 / Bipolar BJT Transistor NPN 80 V 2 A 30 W Through Hole TO-220-3


BD239BTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 2.00 A

极性 NPN

耗散功率 30 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 15 @1A, 4V

额定功率Max 30 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 30 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 4.5 mm

高度 15.7 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BD239BTU
型号: BD239BTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号BD239BTU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BD239BTU

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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